Nagare Labs 发布 Z2RAM 无电容存储技术
热点事件历史事件
Nagare Labs 发布 Z2RAM 无电容存储技术
1 篇报道1 个报道来源5 天前更新
先了解这件事
AI 综述
Georgia Tech 衍生公司 Nagare Labs 宣称，其无电容存储技术 Z2RAM 能在 DRAM 密度下实现 SRAM 速度，并可直接堆叠在 AI 芯片之上。该公司称，第一代产品预计具备 5 倍 SRAM 密度（六层堆叠）、14 倍 DRAM 速度和比 SRAM 低 3 倍的读取能耗。 但 Nagare Labs 联合创始人 Datta 对 The Register 表示，目前“就是实验室原型”：Z2RAM 芯片的送样目标在四年内，量产出货若实现则在十年内。报道还指出，其展示的存储单元和 Z2RAM 均未在约 95°C 以上验证数据保持能力，而 Nagare Labs 称 DRAM 需保持在该温度以下；此外，该公司目前没有晶圆厂。 上述速度、密度和能耗数字均为公司预期，尚非已证实的产品性能。
AI 根据报道生成 · 4 天前更新
最新进展11月6日 19:00
Nagare Labs 的 Z2RAM 宣称可在 DRAM 密度下实现 SRAM 速度报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月6日
- Tom's Hardware · SemiconductorsNagare Labs 的 Z2RAM 宣称可在 DRAM 密度下实现 SRAM 速度
由 Pat Gelsinger 支持的 Georgia Tech 衍生公司 Nagare Labs 称，其 Z2RAM 可把 SRAM 速度、DRAM 密度的存储直接堆叠在 AI 芯片之上。