新加坡国立大学等团队用单晶高κ介质实现低功耗2D CFET

新加坡国立大学与Nexstrom等团队在《Nature》发表论文，演示了用可晶圆级转移的单晶锐钛矿二氧化钛介质与二维过渡金属硫族化物进行范德华集成，制成低功耗二维CFET。报道未在摘要中给出具体功耗数据或成品率结果。 该工作的关键在于把高κ介质做成单晶并支持晶圆级转移，以此与二维材料实现范德华集成，目标是降低二维CFET的功耗。相关性能结论来自论文作者在《Nature》中的表述。

AI 根据报道生成 · 47 分钟前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。